集積回路工学〈1〉プロセス・デバイス技術編 (大学講義シリーズ)
柳井 久義 / 本
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集積回路工学〈1〉プロセス・デバイス技術編 (大学講義シリーズ) の詳細
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タイトル
集積回路工学〈1〉プロセス・デバイス技術編 (大学講義シリーズ)
作者
柳井 久義
ISBN-10
4339001449
発売日
2005/09
カテゴリー
本
ファイルサイズ
26.85 (現在のサーバー速度は24.22 Mbpsです
集積回路工学〈1〉プロセス・デバイス技術編 (大学講義シリーズ)本pdfダウンロード - 内容紹介 広範な集積回路技術を基本から学ぶ学生や研究者向けに，基礎的な理論とプロセス・デバイス技術を，数値例，演習問題を豊富に取り入れて解説しています。新版では，ＭＯＳのアナログ回路など新しく重要度の増してきた技術の記述を強化しました。 著者略歴 (「BOOK著者紹介情報」より) 永田/穰 1956年東京大学工学部電気工学科卒業。1956年(株)日立製作所入社。1966年工学博士(東京大学)。1972年同社中央研究所第3部長。1975年同社中央研究所主管研究員。1985年同社理事、中央研究所技師長。1995年同社理事、研究開発推進本部技師長。1998年同社名誉嘱託 柳井/久義 1942年東京大学工学部電気工学科卒業。1953年工学博士(東京大学)。1960年東京大学教授。1981年東京大学名誉教授、芝浦工業大学教授、東京芝浦電気(株)総合研究所顧問。1986年芝浦工業大学学長。1991年芝浦工業大学名誉教授。1995年逝去(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
カテゴリー: 本
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半導体集積回路の生産の主役がまだ米国であった1979年に、本書の初版が出た。当時日本の大手電機メーカは、今の中国と同じように、米国半導体のコピーをして勉強する黎明期だった。当然コピー品は粗悪な製品になった。学卒新入社員の多くは、ナショナルセミコンダクタ（NS）、テキサス・インスツルメンツ（TI）、フェアチャイルド（F）、ロックウェル（R）、Intelなどから入手したICを、熱濃硫酸でパッケージを溶かし、チップをむき出しにし、顕微鏡でチップ写真を撮影し、その写真を繋ぎあわせ、その上に半透明のマイラ紙をかぶせ、色鉛筆でレイアウトやアルミ配線を書き写すことが仕事だった。私は、30年前のそのような時期に、特殊ICの開発を任されたが、当然ながら集積回路を設計できる日本人のエンジニアは皆無だった。私は、米国のエンジニアが書いたデーターシートの解説資料（当時は、学術的価値のあるハイレベルの内容だった）を何度も読み返し勉強した。特に、TI、NS、Fの解説資料が秀逸だった。本書の初版に出会った時、それらの集大成だとすぐに分かった。その後、米国の解説資料が忘れ去られ、本書が、日本を半導体立国へ押し上げるエンジニアの教育資料に使われ、最新のMOS技術を追加しながら多くの改版がなされ30年が経過した。本書の内容は、米国の一流実務エンジニアをルーツにした、正に設計に必要な基礎知識を網羅した実務書である。集積回路工学１（プロセスデバイス技術編）と２（回路技術編）の両方と（グローブ 半導体デバイスの基礎）を購入することをお勧めする。そのまま設計に通用する内容であり、また、半導体部品の品質を担当されている方々にも、強い味方になるはずだ。巷にある多くの類似本に迷わされて、何冊も購入する失敗をしないようにアドバイスします。
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